微矽電子（8162）昨（7）日以每股35元正式掛牌上市。董事長張秉堂表示，隨著節能趨勢成形，各家積極投入氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）等第三代半導體解決方案，公司為滿足客戶需求，也啟動擴產計畫，新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台，貢獻下半年營運。

與傳統的矽基半導體相比，第三代半導體具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性，在快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域具有絕佳的應用前景。微矽電子深耕第三代半導體領域多年，具備氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）晶圓測試的技術與經驗，並已取得多家晶圓廠與IC設計公司的認證。

張秉堂表示，公司2014年即切入氮化鎵（GaN）晶圓測試領域，具有多年氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）晶圓測試領域之開發經驗，其中氮化鎵（GaN）亦與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試，並已累積相當的銷售實績，對於氮化鎵（GaN）的材料特性與元件特性，可充分掌握，未來隨著終端產品對氮化鎵（GaN）的需求成長，公司可快速導入量產，帶動未來成長契機。

此外，未來隨著車用市場對碳化矽（SiC）之功率元件需求提升，公司亦可藉由多年與碳化矽（SiC）客戶長期合作，累積開發驗證與量產經驗，取得國際車用大廠之認證，藉此跨入高規格車用市場領域，成為帶動未來營收成長之另一契機。