微矽电子（8162）昨（7）日以每股35元正式挂牌上市。董事长张秉堂表示，随著节能趋势成形，各家积极投入氮化镓（GaN）与碳化矽（SiC）等第三代半导体解决方案，公司为满足客户需求，也启动扩产计画，新建厂房预计第二季无尘室就会完工并进驻机台，贡献下半年营运。

与传统的矽基半导体相比，第三代半导体具有更高的耐压、耐热、耐辐射等特性，在快速充电器、AI伺服器、无人机、家电、5G通讯、电动车、太阳能、风电、储能系统等领域具有绝佳的应用前景。微矽电子深耕第三代半导体领域多年，具备氮化镓（GaN）与碳化矽（SiC）晶圆测试的技术与经验，并已取得多家晶圆厂与IC设计公司的认证。

张秉堂表示，公司2014年即切入氮化镓（GaN）晶圆测试领域，具有多年氮化镓（GaN）及碳化矽（SiC）晶圆测试领域之开发经验，其中氮化镓（GaN）亦与国内外多家晶圆厂与IC设计公司合作开发测试，并已累积相当的销售实绩，对於氮化镓（GaN）的材料特性与元件特性，可充分掌握，未来随著终端产品对氮化镓（GaN）的需求成长，公司可快速导入量产，带动未来成长契机。

此外，未来随著车用市场对碳化矽（SiC）之功率元件需求提升，公司亦可藉由多年与碳化矽（SiC）客户长期合作，累积开发验证与量产经验，取得国际车用大厂之认证，藉此跨入高规格车用市场领域，成为带动未来营收成长之另一契机。